Η Huawei καταβάλλει προσπάθειες για να κάνει μια σημαντική ανακάλυψη στη βιομηχανία τσιπ και φαίνεται ότι η εταιρεία έχει σχέδια για αυτό το θέμα με βάση την τεχνολογία διεργασιών 2nm. Ένα νέο δίπλωμα ευρεσιτεχνίας παρουσιάζει τις προσπάθειες της εταιρείας παρά την έλλειψη εργαλείων υψηλής τεχνολογίας.
Η κινεζική OEM εξέδωσε πρόσφατα ένα δίπλωμα ευρεσιτεχνίας για μια τεχνολογία τσιπ 2nm. Ενώ η εταιρεία εξακολουθεί να αντιμετωπίζει προκλήσεις για να πιάσει τους αντιπάλους της στη μάχη των chipset, σχεδιάζει να τερματίσει αυτή τη φάση, πιθανότατα μέχρι το τέλος του επόμενου έτους.
Αλλά το ερώτημα είναι πώς θα είναι δυνατό αυτό, καθώς η Huawei μόλις έφτασε στο όριο των 5 nm φέτος με το τσιπ Kirin 9030 (κόμβος N+3), που τροφοδοτεί το Mate 80; Λοιπόν, η απάντηση βρίσκεται στο δίπλωμα ευρεσιτεχνίας. Ας το εξερευνήσουμε με όλες τις λεπτομέρειες.
Δίπλωμα ευρεσιτεχνίας: Μεταλλικές θέσεις 21nm
Ξεκινώντας με την εφαρμογή, η εταιρεία έκανε αίτηση για τη νέα ευρεσιτεχνία με τον αριθμό CN119301758A στις 8 Ιουνίου 2022 και δημοσιεύτηκε φέτος στις 10 Ιανουαρίου. Έχει τον τίτλο «Μέθοδος ολοκλήρωσης μετάλλων για την κατασκευή ολοκληρωμένων συσκευών».
Επικεντρώνεται κυρίως στην κατασκευή προηγμένων ημιαγωγών. Επίσης, επιλύει τα σημεία συμφόρησης που σχετίζονται με το μοτίβο BEOL για IC (Integrated Circuits).
Το BEOL (Back-End-Of-Line) είναι ένα κρίσιμο στάδιο στη διαδικασία κατασκευής τσιπ, όπου εναποτίθενται μεταλλικά στρώματα διασύνδεσης για τη σύνδεση των μεμονωμένων τρανζίστορ και συσκευών που αναπτύχθηκαν κατά τη διαδικασία Front-End-Of-Line (FEOL).
Η διαδικασία χρησιμοποιείται για τη δημιουργία ηλεκτρικών οδών που σχηματίζουν το IC και επιτρέπουν στα σήματα να μεταδίδονται απρόσκοπτα μεταξύ των στοιχείων. Όσον αφορά τα τσιπ 21 nm ή κάτω, αυτή η διαδικασία συχνά δημιουργεί πρόβλημα στην καθυστέρηση της χωρητικότητας αντίστασης, την αξιοπιστία και την απόδοση.
Διαδικασία 2 nm
Σύμφωνα με έναν ερευνητή Semiconductor, τον Dr. Frederick Chen, ο οποίος εντόπισε τη νέα ευρεσιτεχνία, η Huawei μπορεί να επιτύχει ένα τσιπ διαδικασίας 2nm, και αυτό επίσης χωρίς προηγμένο μηχάνημα EUV. Αυτό θα γίνει δυνατό με τη βοήθεια εξοπλισμού DUV.
Η απαγόρευση της Huawei από τις ΗΠΑ το 2019 περιόρισε την εταιρεία από τη χρήση των τεχνολογιών αιχμής τσιπ. Ως αποτέλεσμα, η OEM άρχισε να ενώνει τα χέρια με τις εγγενείς εταιρείες ημιαγωγών όπως η SMIC και βασίστηκε στις μηχανές DUV τα τελευταία χρόνια.
Τώρα, το δίπλωμα ευρεσιτεχνίας δείχνει ότι οι υπάρχουσες μηχανές DUV μπορούν να επιτύχουν μεταλλικό βήμα 21 nm, παρέχοντας απόδοση τσιπ 2 nm όπως η TSMC και άλλοι ανταγωνιστές.
Η Huawei θα χρησιμοποιήσει μια σύντηξη μηχανών SAQP (Self-Aligned Quadruple Patterning) και DUV για να μειώσει τις πολλαπλές εκθέσεις με λέιζερ. Επιπλέον, θα χρησιμοποιήσει μια μέθοδο σχεδίασης που καθορίζεται από διαχωριστικά δύο βημάτων με μια σκληρή μάσκα πολλαπλών υλικών για τη δημιουργία και την προστασία στενών μεταλλικών γραμμών + vias.
Ως αποτέλεσμα, η διαδικασία θα ενεργοποιήσει πλήρως αυτοευθυγραμμισμένες διόδους (FSAV) για ισχυρές ηλεκτρικές συνδέσεις χωρίς την απαίτηση της μηχανής EUV. Η διαδικασία δεν είναι μόνο μια σημαντική προσέγγιση αλλά και μια οικονομικά αποδοτική ιδέα στην τεχνολογία κατασκευής τσιπ.
Με απλά λόγια, είναι μια προσπάθεια διπλού υλικού για τη διαφύλαξη παρακείμενων γραμμών στη μεταλλοποίηση, ενώ ορίζονται οι κατασκευές σε ξεχωριστή φάση χωρίς κανένα εργαλείο EUV.
Οφέλη:
- Βελτιώνει τα περιθώρια EPE (Edge Placement Errors) για βήματα κάτω των 21 nm.
- Επιτρέπει χαμηλότερη χωρητικότητα και καλύτερη αξιοπιστία διασύνδεσης.
- Ισχύει για στρώσεις μέσης γραμμής (MOL) ή BEOL σε μάρκες.
Σημειώστε ότι το δίπλωμα ευρεσιτεχνίας δεν περιστρέφεται γύρω από το τσιπ 2 nm αλλά τα μεταλλικά βήματα κάτω των 21 nm και στοχεύει να επικεντρωθεί στους κόμβους 3 nm και 2 nm ως το εύρος πρακτικής εφαρμογής.
(Συντελεστές εικόνας: Huawei)
The post Η Huawei μπορεί να έχει μια σημαντική ανακάλυψη τσιπ 2 nm εμφανίστηκε πρώτα στο Huawei Central.
Via: huaweicentral.com
